檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "洪儒生".ccommittee (精準) and year="95"
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本論文藉由反應性濺鍍的方法,研究在濺鍍矽網印於SA(100)及SA(012)基板上,選擇性區域成長二氧化釕奈米桿。二氧化釕奈米桿垂直成長於SA(100)基板上,傾斜35o成長於SA(012)基板,利…
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我們使用密度泛函數(DFT)法研究SiH4, GeH4, Si2H6, and Ge2H6分解吸附與氫遷移和脫附於SiGe(100)-2x1表面。由於鍺加入於Si(100)-2x1表面內影響了dim…